Este Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT) es una refacción de nivel premium y grado industrial fabricada por Infineon Technologies, el líder indiscutible en semiconductores de potencia. Diseñado bajo la serie IGW25T120 en encapsulado robusto PG-TO-247-3, este transistor destaca por su altísima tolerancia de voltaje de hasta $1200\text{ V}$ ($1.2\text{ kV}$) y su excepcional velocidad de conmutación, convirtiéndose en el reemplazo idóneo para reparar tarjetas lógicas y de potencia sometidas a cargas pesadas.
Marca: Infineon Technologies (Original OEM)
Modelo / Marcado en Cuerpo: G25T120 (Familia técnica IGW25T120)
Tipo de Componente: Transistor IGBT de Potencia (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Voltaje Colector-Emisor Máximo ($V_{CE}$): $1200\text{ V}$ ($1.2\text{ kV}$)
Corriente de Colector Continua ($I_C$):
$50\text{ A}$ a una temperatura de chasis de $25\ ^\circ\text{C}$
$25\text{ A}$ a una temperatura de chasis de $100\ ^\circ\text{C}$
Corriente de Colector Pulsada Máxima ($I_{Cpuls}$): $75\text{ A}$
Voltaje Compuerta-Emisor Máximo ($V_{GE}$): $\pm 20\text{ V}$
Voltaje de Saturación Colector-Emisor Típico ($V_{CE(sat)}$): $1.7\text{ V}$ (Bajas pérdidas por conducción)
Tiempo de Resistencia al Cortocircuito ($t_{SC}$): $10\ \mu\text{s}$ (Bajo condiciones de $V_{GE} = 15\text{ V}$ y $V_{CC} \le 1200\text{ V}$)
Disipación de Potencia Total Máxima ($P_{tot}$): $190\text{ W}$ (a $T_C = 25\ ^\circ\text{C}$)
Temperatura Operativa de la Juntura ($T_J$): $-40\ ^\circ\text{C} \text{ a } 150\ ^\circ\text{C}$
Temperatura de Almacenamiento ($T_{stg}$): $-55\ ^\circ\text{C} \text{ a } 150\ ^\circ\text{C}$
Temperatura de Soldadura Recomendada: $260\ ^\circ\text{C}$ (máximo $10\text{ segundos}$ a $1.6\text{ mm}$ del encapsulado)
Tipo de Encapsulado: PG-TO-247-3 (Estándar TO-247 de tres pines para orificio pasante / Through-Hole)
Condición: Producto Nuevo, Grado A (Funcionalidad total testeada en laboratorio de control de calidad)
Empaque: Formato OEM protegido con empaque antiestático de alta densidad para resguardar los pines de compuerta sensible contra descargas ESD
IGW25T120FKSA1
IGW25T120 G25T120
IKW25N120T2 (Equivalente funcional con diodo integrado)
H25R1203 (Equivalencia común en estufas de inducción)
Este semiconductor es la refacción crítica para restaurar la etapa de potencia y conmutación de alta velocidad en equipos comerciales e industriales como:
Soldadoras Inversoras de Corriente: Transistor de potencia principal en puentes H e inversores de soldar de marcas comerciales en México.
Estufas de Inducción Domésticas e Industriales: Conmutador del inductor de calentamiento electromagnético (reparación común de cortocircuitos de entrada).
Variadores de Frecuencia (VFD) y Controladores de Motores: Conmutación eficiente en inversores de control de fase.
Fuentes de Poder Conmutadas (SMPS): Fuentes de alimentación industriales y cargadores de baterías de alta tensión.
Pérdidas de Conmutación Extremadamente Bajas: Gracias a la tecnología de compuerta trinchera de Infineon, disipa menos energía térmica, lo que prolonga la vida útil del equipo reparado.
Excelente Capacidad contra Cortocircuitos: Su robustez interna ante cortos de hasta $10\ \mu\text{s}$ evita que el componente estalle inmediatamente ante variaciones súbitas de carga.
Montaje de Alta Disipación Térmica (TO-247): Su estructura plana posterior de cobre permite un acoplamiento perfecto al disipador de calor de aluminio mediante pasta térmica, manteniendo bajas temperaturas en el núcleo.
$1 \times$ Transistor de Potencia IGBT Infineon G25T120 (IGW25T120) de $1200\text{ V}$ $25\text{ A}$ TO-247.
Periodo: $30\text{ días}$ naturales a partir de la recepción física del envío contra cualquier defecto latente de fabricación del transistor.
Nota del Ingeniero: Al tratarse de un semiconductor de silicio de potencia que requiere instalación mediante soldadura e integración con disipadores, la garantía ampara las piezas únicamente en su estado físico original sin rastro de montaje. No cubre daños por exceso de temperatura de cautín/estación de calor durante la soldadura, cortocircuitos provocados por no cambiar componentes periféricos dañados (como diodos de recuperación rápida, optoacopladores o resistencias de compuerta), falta de aislamiento eléctrico con el chasis de aluminio, o ausencia de pasta térmica. Verifique las señales lógicas de activación en la compuerta con un osciloscopio antes de soldar y energizar la tarjeta. No remover la etiqueta de garantía.
¿Tu soldadora inversora se queda con el indicador de alarma encendido o la estufa de inducción funde el fusible de entrada de manera inmediata al conectarse? El transistor IGBT suele sacrificarse ante sobrecargas quedando en corto directo entre colector y emisor.
📱 Escríbenos por WhatsApp para brindarte asesoría técnica personalizada. Envíanos una foto nítida de tu tarjeta de potencia y del transistor que retiraste; nuestros ingenieros confirmarán la compatibilidad de esta refacción en minutos para que compres con total seguridad.
Código de Inventario: #G25T120
¿El equipo de soldar de tu taller se ha quedado en corto circuito repentinamente tras una jornada intensa de trabajo? O bien, ¿la estufa de inducción de tu cocina funde los fusibles de protección cada vez que intentas encenderla? En la electrónica de potencia moderna, la falla catastrófica de los transistores de conmutación rápida es el problema número uno. El Transistor IGBT Infineon G25T120 (también identificado bajo el número de parte IGW25T120) de $1200\text{ V}$ y $25\text{ A}$ es la refacción original de Grado A de nivel industrial diseñada para actuar de forma eficiente en entornos de alta tensión y alta temperatura.
Tecnología Alemana de Potencia Infineon A diferencia de los transistores genéricos de bajo costo y baja tolerancia térmica que suelen estallar ante el primer pulso, la serie IGW25T120 original ofrece un voltaje de saturación extremadamente bajo de $1.7\text{ V}$ y una capacidad de disipación de energía de hasta $190\text{ W}$. Su encapsulado estándar TO-247 cuenta con un pinout robusto diseñado para la transferencia eficiente de calor hacia disipadores externos, asegurando que la reparación de la tarjeta electrónica sea duradera y libre de retornos por garantía en tu taller de servicio.
¿Por qué es indispensable contar con stock del G25T120? Los IGBTs en las etapas de inversores y puentes H de soldadoras suelen trabajar en pares o en configuraciones de cuatro unidades. Cuando uno de los transistores falla, es una excelente práctica de ingeniería sustituir todo el juego simétrico para asegurar una distribución de corriente uniforme. Adquirir esta refacción original Infineon bajo el SKU #G25T120 te garantiza que estás instalando un componente con características lógicas simétricas exactas a las del diseño original de fábrica.
Código de Inventario: #G25T120
